<<< На главную

 

 

 

 

 ИОФФЕ Абрам Федорович

 

 

 

 

10000266

Страна

проживания

Год рождения

Основные области деятельности

Россия

1880

 

 

Механические и электрические свойства диэлектриков, физика полупроводников

 

 

 

 

 

Установлена причина низкой прочности кристаллов из-за механических дефектов и разработана методика их устранения путем растворения поверхности  - «Эффект Иоффе»;

 

 

Доказана независимость сопротивления диэлектрика от приложенной разности потенциалов;

 

 

Доказано, что температурная зависимость электропроводности кристаллов определяется химическими примесями.

 

 

Открыт новый диэлектрик  - стирол;

 

 

Выяснена роль поверхности изолятора  в электрическом пробое (краевой эффект);

 

 

Установлены два типа пробоя: низкотемпературный и тепловой;

 

 

Разработаны методы защиты  от краевого пробоя.         

 

 

Разработан метод получения полупроводников с изменяющимися в широких пределах свойствами;

 

 

Дано объяснение природы фотоэлектродвижущей силы.

 

 

Установлено, что механизм поглощения света в закиси меди обусловлен внутренним фотоэффектом.

 

 

Установлена физика контактного выпрямления.

 

 

Разработана теория термоэлектрогенераторов и термоэлектрических охлаждающих устройств.

 

 

Разработаны различные виды полупроводниковых приборов: вентильные высокочувствительные фотоэлементы, твердые выпрямители для больших токов, термисторы и др.

 

 

 

 

Подробнее

 

 

Hosted by uCoz