<<< На главную |
10000266 |
Страна
проживания |
Год рождения |
Основные области деятельности |
|
Россия
|
1880
|
Механические и электрические свойства диэлектриков, физика
полупроводников |
|
|
|
|
|||
Установлена причина низкой прочности
кристаллов из-за механических дефектов и разработана методика их устранения
путем растворения поверхности -
«Эффект Иоффе»; |
|
|||
Доказана независимость сопротивления
диэлектрика от приложенной разности потенциалов; |
|
|||
Доказано, что температурная
зависимость электропроводности кристаллов определяется химическими примесями. |
|
|||
Открыт новый диэлектрик - стирол;
|
|
|||
Выяснена роль поверхности
изолятора в электрическом пробое
(краевой эффект); |
|
|||
Установлены два типа пробоя: низкотемпературный и тепловой; |
|
|||
Разработаны методы
защиты от краевого пробоя. |
|
|||
Разработан метод получения
полупроводников с изменяющимися в широких пределах свойствами; |
|
|||
Дано объяснение природы
фотоэлектродвижущей силы. |
|
|||
Установлено, что механизм поглощения
света в закиси меди обусловлен внутренним фотоэффектом. |
|
|||
Установлена физика контактного
выпрямления. |
|
|||
Разработана теория термоэлектрогенераторов
и термоэлектрических охлаждающих устройств. |
|
|||
Разработаны различные виды
полупроводниковых приборов: вентильные высокочувствительные фотоэлементы,
твердые выпрямители для больших токов, термисторы и др. |
|
|||
|
|
|||
|